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【成果简介】最近，门槛清华大学材料学院柳百新院士课题组和中物院北京计算科学研究中心黄兵教授课题组合作，门槛通过第一性原理计算的方法研究了54种潜在的层状双钙钛矿化合物Cs4M2+B3+2XVII12(M2+=Mg2+/Ca2+/Sr2+/Zn2+/Cd2+/Sn2+,B3+=Sb3+/In3+/Bi3+;XVII=Cl-/Br-/I-)的稳定性、电学和光学性质，最终从这54种材料中成功发现7种适合于做空穴型透明导电体的材料。上海清华大学材料学院博士生徐健为论文第一作者。图六：降低本征缺陷物理研究确定其优异的空穴型导电性质在五个选取的化学势点处（点A，点B，点C，点D，点E）Cs4CdSb2Cl12中20种本征缺陷的形成能。
黑色对号代表通过此级筛选，落户红色叉号代表没有通过此级筛选。门槛【图文导读】图一：优异的空穴型透明导电材料的筛选标准（a）Cs4M2+B3+2XVII12层状双钙钛矿化合物的晶体结构。
图四：上海能带结构分析对这些材料适于做空穴型透明导电材料给予较充分的理论解释根据M2+的电子组态的不同，上海将10种筛选出的直接带隙Cs4M2+B3+2XVII12化合物分成三类（Type-I，Type-II和Type-III）图（a）（b）和（c）分别示出Cs4CdSb2Cl12 (type-I)，Cs4SnBi2Cl12 (type-II)，和Cs4CaIn2Cl12 (type-III)的能带结构。
低的空穴有效质量，降低以及本征的优良的空穴型导电性质。报告嘉宾陶冶，落户南京邮电大学材料科学与工程学院特聘教授，主要研究方向为1）新型动态自调节有机光电材料的合成及其性能研究。
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